标题 |
Advantages of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes with Graded Quantum Structures in the Active Region
相关领域
光电子学
材料科学
发光二极管
二极管
量子阱
量子效率
宽禁带半导体
紫外线
电致发光
自发辐射
光电探测器
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DOI |
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求助人 |
梦想仗剑走天涯 在
2020-11-11 20:43:39 发布,悬赏 10 积分
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