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标题
Gate Robustness and Reliability of P-Gate GaN HEMT Evaluated by a Circuit Method
用电路方法评估P栅GaN HEMT的栅极鲁棒性和可靠性
相关领域
材料科学 光电子学 响铃 与非门 晶体管 逻辑门 随时间变化的栅氧化层击穿 高电子迁移率晶体管 栅氧化层 占空比 等效门电路 和大门 栅极电介质 电气工程 电子工程 电压 工程类 滤波器（信号处理）
网址
https://doi.org/10.1109/tpel.2024.3355042
AI链接 handle.netdoi.org
DOI
10.1109/tpel.2024.3355042 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Power Electronics
作者：Bixuan Wang; Ruizhe Zhang; Qihao Song; Hengyu Wang; Quanbo He; et al
出版日期：2024-01-17
求助人
大安吉 在 2025-12-03 17:07:27 发布自海南，悬赏 10 积分
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