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标题
Modeling of a vertical tunneling transistor based on Gr-hBN- χ 3 borophene heterostructure
基于Gr-HBN-χ 3硼酚异质结构的垂直隧穿晶体管的建模
相关领域
硼酚 量子隧道 异质结 阈下摆动 晶体管 石墨烯 材料科学 凝聚态物理 非平衡态热力学 光电子学 场效应晶体管 阈下斜率 紧密结合 纳米技术 电压 物理 电子结构 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0092647
DOI
10.1063/5.0092647 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Reza Abbasi; Rahim Faez; Ashkan Horri; Mohammad Kazem Moravvej‐Farshi
出版日期：2022-07-15
求助人
DaisyChan 在 2025-12-11 11:12:33 发布自贵州，悬赏 10 积分
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