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 Unexpectedly low barrier of ferroelectric switching in HfO2 via topological domain walls 通过拓扑畴壁实现HfO2铁电开关的低势垒
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期刊：Materials Today 作者：Duk‐Hyun Choe; Sunghyun Kim; Taehwan Moon; Sanghyun Jo; Hagyoul Bae; et al 出版日期：2021-11-01 |
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