标题 |
![]() InxGa1-xN预应变层中的铟成分对用于增强发光的无EBL GaN/InGaN纳米线LED的光学特性的作用
相关领域
材料科学
光电子学
纳米线
铟
铟镓氮化物
发光二极管
极化(电化学)
二极管
图层(电子)
氮化物
氮化铟
量子点
氮化镓
纳米技术
化学
物理化学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者:Samadrita Das; Trupti Ranjan Lenka; Fazal Ahmed Talukdar; Hieu Pham Trung Nguyen; Giovanni Crupi 出版日期:2023-09-02 |
求助人 |
研友_Z7mjEL
在
2025-07-29 22:48:18 发布,悬赏 10 积分
|
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|