Band order reversal and valley engineering driving to dual high electron and hole mobility in strained monolayer BS

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标题	Band order reversal and valley engineering driving to dual high electron and hole mobility in strained monolayer BS 应变单层BS中双高电子和空穴迁移率的带序反转和谷工程驱动相关领域单层电子迁移率对偶（语法数字）材料科学电子订单（交换）凝聚态物理光电子学纳米技术物理核物理学艺术文学类财务经济
网址	https://doi.org/10.1063/5.0231455
DOI	10.1063/5.0231455 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Gege Du; Chunhui Li; Lei Shan; Mengjian Zhu; Long Cheng 出版日期：2024-10-21
求助人	自然函在 2025-07-18 22:47:40 发布自天津，悬赏 10 积分
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