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标题
High-Speed Current Switching of Inverted-Staggered Bottom-Gate a-IGZO-Based Thin-Film Transistors with Highly Stable Logic Circuit Operations
具有高稳定逻辑电路操作的反交错底栅a-IGZO薄膜晶体管的高速电流开关
相关领域
与非门 薄膜晶体管 材料科学 逆变器 晶体管 逻辑门 光电子学 NOR门 切换时间 和大门 电气工程 非逻辑 等效门电路 电压 电子工程 计算机科学 通流晶体管逻辑 纳米技术 工程类 栅氧化层 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00394
DOI
10.1021/acsaelm.3c00394 doi
其它 期刊：ACS Applied Electronic Materials
作者：Muhammad Naqi; Yongin Cho; Sunkook Kim
出版日期：2023-05-30
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Miao 在 2025-08-27 05:29:07 发布，悬赏 10 积分
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