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 Overcoming bit loss mechanism in self‐amplified multilevel silicon‐oxide‐nitride‐oxide‐silicon memory cell 克服自放大多级氧化硅-氮氧化物-氧化硅存储单元的位丢失机制
相关领域
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期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：Pooja Bohara; Santosh Kumar Vishvakarma 出版日期：2021-06-22 |
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无限萤
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