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A TCAD Simulation Study of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors at the 10-nm Node
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网址
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3089671
DOI
10.1109/ted.2021.3089671 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Patsy Cadareanu; Pierre‐Emmanuel Gaillardon
出版日期：2021-06-28
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李沐唅 在 2025-09-23 11:00:40 发布自贵州，悬赏 10 积分
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