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  Tin Oxide Field-Effect Transistors Deposited by Thermal Atomic Layer Deposition with H2O Reactant 用H2O反应物热原子层沉积法沉积二锡氧化物场效应晶体管
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期刊：Applied Science and Convergence Technology 作者：Chanhyeok Park; Seon-Chang Kim; Gyeong Ryul Lee; Roy B. Chung 出版日期：2022-10-28 |
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