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 Low‐Operating‐Voltage Resistive Switching Memory Based on the Interlayer‐Spacing Regulation of MoSe2 基于MoSe2层间距调节的低工作电压电阻开关存储器
相关领域
材料科学
电阻随机存取存储器
单层
拉曼光谱
图层（电子）
光电子学
电压
透射电子显微镜
扫描电子显微镜
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复合材料
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物理
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Jiaying Jian; Feng Hao; Pengfan Dong; Honglong Chang; Arnaud Vena; et al 出版日期：2021-12-30 |
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