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标题
Fabrication and Performances of Recessed Gate AlGaN/GaN MOSFETs with Si₃N₄/TiO₂ Stacked Dual Gate Dielectric
Si₃N₄/TiO₂堆叠双栅介质凹栅AlGaN/GaN MOSFET的制备与性能
相关领域
材料科学 光电子学 栅极电介质 电介质 蚀刻（微加工） 制作 MOSFET 栅氧化层 金属浇口 晶体管 电压 电气工程 纳米技术 图层（电子） 医学 替代医学 病理 工程类
网址
https://doi.org/10.5573/jsts.2022.22.2.105
DOI
10.5573/jsts.2022.22.2.105 doi
其它 期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science
作者：Hee-Dae An; Jin‐Hyuk Bae; Sin‐Hyung Lee; In Man Kang; So-Ra Min; et al
出版日期：2022-04-30
求助人
Ice 在 2025-05-08 20:10:15 发布自福建，悬赏 10 积分
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  • 4小时前

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