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Impact of the Channel Thickness on Electron Confinement in MOCVD‐Grown High Breakdown Buffer‐Free AlGaN/GaN Heterostructures
沟道厚度对MOCVD生长高击穿无缓冲AlGaN/GaN异质结构中电子限制的影响
相关领域
材料科学
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期刊:Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者:Ding-Yuan Chen; Kai-Hsin Wen; Mattias Thorsell; Marilinda Lorenzini; Hans Hjelmgren; et al 出版日期:2022-11-03 |
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