Dislocation defects in 4H‑SiC crystals grown by physical vapor transport: Evolution, origins, and control strategies

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标题	Dislocation defects in 4H‑SiC crystals grown by physical vapor transport: Evolution, origins, and control strategies
网址	https://doi.org/10.1016/j.jmst.2026.08.046
DOI	10.1016/j.jmst.2026.08.046 doi
其它	期刊：Journal of Materials Science & Technology 作者：Peng Gu; Tianle Wang; Zefeng Guan; Jiliang Zhu 出版日期：2026-08-31
求助人	小脚丫在 2026-10-22 14:41:22 发布自四川，悬赏 10 积分
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