标题 |
Comparison of Ge Surface Passivation Between $ \hbox{SnGeO}_{x}$ Films Formed by Oxidation of Sn/Ge and $ \hbox{SnGe}_{x}/\hbox{Ge}$ Structures
Sn/Ge氧化形成的$\hbox{SnGeO}_{x}$薄膜与$\hbox{SnGe}_{x}/\hbox{Ge}$结构的Ge表面钝化比较
相关领域
钝化
锗
物理
材料科学
纳米技术
硅
光电子学
图层(电子)
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DOI | |
其它 |
期刊:IEEE electron device letters 作者:Yung-Hsien Wu; Min-Lin Wu; Ren-Yuan Lyu; Jia-Rong Wu; Chiu‐Chu Lin; et al 出版日期:2011-05-01 |
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