标题 |
Improvement of channel property of GaN vertical trench MOSFET by compensating nitrogen vacancies with nitrogen plasma treatment
氮等离子体补偿氮空位改善GaN垂直沟槽MOSFET沟道性能
相关领域
材料科学
退火(玻璃)
氮气
光电子学
浅沟隔离
限制
等离子体
沟槽
MOSFET
纳米技术
晶体管
化学
电气工程
复合材料
电压
图层(电子)
有机化学
工程类
物理
机械工程
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Express 作者:Takashi Ishida; Kyung Pil Nam; M. Matys; Tsutomu Uesugi; Jun Suda; et al 出版日期:2020-11-25 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|