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 Robustness-Improved ESD Protection Devices With Low Leakage Using Middle Silicon Layer in Double SOI Technology 采用双SOI技术的中间硅层提高低泄漏ESD保护器件的鲁棒性
相关领域
绝缘体上的硅
稳健性（进化）
泄漏（经济）
硅
材料科学
电子工程
光电子学
计算机科学
工程类
化学
生物化学
基因
宏观经济学
经济
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| 其它 |
期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Cheng Zhang; Xiaojing Li; Fanyu Liu; Jiangjiang Li; Siyuan Chen; et al 出版日期：2024-01-01 |
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