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 Design methodologies and fabrication of 4H-SiC lateral Schottky barrier diode on thin RESURF layer 薄RESURF层上4H-SiC侧向肖特基势垒二极管的设计方法与制备
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Atsushi Shimbori; Alex Q. Huang 出版日期：2022-03-21 |
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