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标题
The concept of quasi‐Fermi level and expansion of faulted loops in SiC under minority carrier injection
少数载流子注入下SiC中准费米能级的概念和断层环的展开
相关领域
材料科学 二极管 偏压 凝聚态物理 位错 PIN二极管 光电子学 人口 电子 半导体 激发态 电压 原子物理学 物理 复合材料 人口学 量子力学 社会学
网址
https://doi.org/10.1002/pssa.201200501
AI链接 wiley.comdoi.org
DOI
10.1002/pssa.201200501 doi
其它 期刊：physica status solidi (a)
作者：Pirouz Pirouz
出版日期：2012-12-04
求助人
Evan 在 2025-06-04 22:16:47 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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  • 2天前

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  • 2天前

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