A 750V recessed-emitter-trench IGBT with recessed-dummy-trench structure featuring low switching losses

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标题	A 750V recessed-emitter-trench IGBT with recessed-dummy-trench structure featuring low switching losses
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8387225/8393579/08393615...
DOI	10.1109/ispsd.2018.8393615 doi
其它	期刊：2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Yao Yao; Haihui Luo; Qiang Xiao; Chunlin Zhu; Haibo Xiao; et al 出版日期：2018-07-31
求助人	zyw 在 2026-01-28 19:06:41 发布自江苏，悬赏 10 积分
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