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  Numerical simulation of single-event effects in fully-depleted silicon-on-insulator HfO<sub>2</sub>-based ferroelectric field-effect transistor memory cell 全耗尽绝缘体上硅HfO2基铁电场效应晶体管存储单元中单粒子效应的数值模拟
相关领域
绝缘体上的硅
铁电性
材料科学
存储单元
光电子学
晶体管
阈值电压
电压
场效应晶体管
铁电电容器
电气工程
硅
工程类
电介质
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| 其它 |
期刊：Acta Physica Sinica 作者：Rui-Xiang Shen; Hong Zhang; Hongjia Song; Pengfei Hou; Bo Li; et al 出版日期：2022-01-01 |
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