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标题
Numerical simulation of single-event effects in fully-depleted silicon-on-insulator HfO<sub>2</sub>-based ferroelectric field-effect transistor memory cell
全耗尽绝缘体上硅HfO2基铁电场效应晶体管存储单元中单粒子效应的数值模拟
相关领域
绝缘体上的硅 铁电性 材料科学 存储单元 光电子学 晶体管 阈值电压 电压 场效应晶体管 铁电电容器 电气工程 硅 工程类 电介质
网址
https://doi.org/10.7498/aps.71.20211655
AI链接 ac.cndoi.org
DOI
10.7498/aps.71.20211655 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Rui-Xiang Shen; Hong Zhang; Hongjia Song; Pengfei Hou; Bo Li; et al
出版日期：2022-01-01
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bb 在 2025-12-10 07:48:41 发布自四川，悬赏 10 积分
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