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 Assessment of tunnel oxide and poly-Si channel traps in 3D SONOS memory before and after P/E cycling P/E循环前后3D SONOS存储器中隧道氧化物和多晶硅沟道陷阱的评估
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期刊：Microelectronic Engineering 作者：K.H. Lee; R. Degraeve; M. Toledano-Luque; A. Arreghini; L. Breuil; et al 出版日期：2015-04-10 |
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