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  Bottom-up vertical GaN nanocolumn Schottky barrier diodes with extremely high packing density grown by molecular beam epitaxy 相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Hiroyuki Shimada; Hironobu Kariyazono; Yohei Nakagawa; Shinji Terao; Kentaro Takayanagi; et al 出版日期：2023-12-14 |
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