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 Manipulating precursors of group-III nitrides for high-Al-content p-AlGaN toward efficient deep ultraviolet light emitters 高Al含量p-AlGaN的III族氮化物前驱体向高效深紫外光发射体的调控
相关领域
氮化物
紫外线
材料科学
群（周期表）
宽禁带半导体
光电子学
化学
纳米技术
有机化学
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Ziqi Zhang; Hansong Geng; Zhenxing Lv; Bin Tang; Xu Liu; et al 出版日期：2024-12-09 |
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