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标题
Numerical Investigation of Transient Breakdown Voltage Enhancement in SOI LDMOS by Using a Step P-Type Doping Buried Layer
阶跃P型掺杂埋层对SOI LDMOS瞬态击穿电压增强的数值研究
相关领域
LDMOS 击穿电压 绝缘体上的硅 材料科学 兴奋剂 电场 光电子学 基质（水族馆） 瞬态（计算机编程） 电压 电气工程 硅 工程类 物理 计算机科学 操作系统 地质学 海洋学 量子力学
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/14/4/887/pdf?version=16819964...
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi14040887 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Xiaoming Yang; Taiqiang Cao; Xiaohua Zhang; Tianqian Li; Hang Luo
出版日期：2023-04-20
求助人
holly 在 2025-08-30 14:12:34 发布，悬赏 10 积分
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