An embedded β-Ga2O3 layer in a SOI-LDMOS to improve breakdown voltage

LDMOS 绝缘体上的硅 击穿电压 材料科学 功勋 光电子学 MOSFET 电压 电气工程 晶体管 工程类
作者
Farshad Gholipour,Ali A. Orouji,Dariush Madadi
出处
期刊:Journal of Computational Electronics [Springer Science+Business Media]
卷期号:21 (1): 206-213 被引量:6
标识
DOI:10.1007/s10825-021-01842-0
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