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  Deep level traps in (010) β-Ga2O3 epilayers grown by metal organic chemical vapor deposition on Sn-doped β-Ga2O3 substrates 金属有机化学气相沉积在掺锡β-Ga2O3衬底上生长的（010）β-Ga2O3外延层中的深能级陷阱
相关领域
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接受者
化学
硅
金属
活化能
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材料科学
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物理
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：C. A. Dawe; В. П. Маркевич; Matthew P. Halsall; I.D. Hawkins; А. R. Peaker; et al 出版日期：2024-07-25 |
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