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 High Hole Mobility Inorganic Halide Perovskite Field-Effect Transistors with Enhanced Phase Stability and Interfacial Defect Tolerance 具有增强的相稳定性和界面缺陷容限的高空穴迁移率无机卤化物钙钛矿场效应晶体管
相关领域
材料科学
卤化物
光电子学
晶体管
碘化物
钙钛矿（结构）
兴奋剂
阈值电压
电子迁移率
相（物质）
化学工程
薄膜晶体管
图层（电子）
纳米技术
无机化学
电压
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化学
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Lee Yoon-Jung; Ji Su Han; Da Eun Lee; Tae Hyung Lee; Jae Young Kim; et al 出版日期：2021-10-15 |
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