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 Intrinsic Defect Limit to the Electrical Conductivity and a Two‐Step p‐Type Doping Strategy for Overcoming the Efficiency Bottleneck of Sb 2 S 3 ‐Based Solar Cells Sb2S3基太阳电池电导率的本征缺陷极限和克服效率瓶颈的两步p型掺杂策略
相关领域
电阻率和电导率
钝化
兴奋剂
材料科学
瓶颈
能量转换效率
光电子学
载流子寿命
光伏系统
电导率
掺杂剂
分析化学（期刊）
凝聚态物理
纳米技术
化学
电气工程
物理
物理化学
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硅
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图层（电子）
工程类
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| 其它 |
期刊：Solar RRL 作者：Zenghua Cai; Chen-Min Dai; Shiyou Chen 出版日期：2020-04-01 |
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