High mobility bottom gate InGaZnO thin film transistors with SiOx etch stopper

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标题	High mobility bottom gate InGaZnO thin film transistors with SiOx etch stopper 相关领域薄膜晶体管材料科学光电子学蚀刻（微加工）光刻制作溅射无定形固体有源矩阵晶体管干法蚀刻阈值电压图层（电子）薄膜等离子体刻蚀纳米技术电压电气工程化学工程类病理替代医学有机化学医学
网址	https://doi.org/10.1063/1.2742790
DOI	10.1063/1.2742790 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Min Kyu Kim; Jong Han Jeong; Hun Jung Lee; Tae Kyung Ahn; Hyun Soo Shin; et al 出版日期：2007-05-21
求助人	狒狒在 2025-11-16 19:25:47 发布自福建，悬赏 10 积分
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