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标题
Sn-doped n-type GaN freestanding layer: Thermodynamic study and fabrication by halide vapor phase epitaxy
掺锡n型GaN独立层的热力学研究及卤化物气相外延制备
相关领域
外延 制作 气相 兴奋剂 卤化物 图层（电子） 材料科学 相（物质） 光电子学 宽禁带半导体 化学 纳米技术 无机化学 热力学 物理 病理 有机化学 替代医学 医学
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127923
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2024.127923 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Kazuki Ohnishi; Kansuke Hamasaki; Shugo Nitta; Naoki Fujimoto; Hirotaka Watanabe; et al
出版日期：2024-10-09
求助人
jlm@kyt 在 2025-12-05 21:34:41 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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