Experimental demonstration of combination-encoding content-addressable memory of 0.75 bits per switch utilizing Hf–Zr–O ferroelectric tunnel junctions

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标题	Experimental demonstration of combination-encoding content-addressable memory of 0.75 bits per switch utilizing Hf–Zr–O ferroelectric tunnel junctions
网址	https://doi.org/10.1039/d3mh02218h
DOI	10.1039/d3mh02218h doi
其它	期刊：Materials horizons 作者：Manh-Cuong Nguyen; Jiwon You; Yonguk Sim; Rino Choi; Doo Seok Jeong; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	kai 在 2026-07-08 21:06:41 发布自湖南，悬赏 10 积分
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