Impact of the top DBR in GaAs-based VCSELs on the threshold current, oxide-aperture diameter, and the cavity photon lifetime

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标题	Impact of the top DBR in GaAs-based VCSELs on the threshold current, oxide-aperture diameter, and the cavity photon lifetime 相关领域光电子学材料科学砷化镓光子光圈（计算机存储器）电流（流体）光学垂直腔面发射激光器激光器分布布拉格反射激光器半导体激光器理论物理电气工程半导体工程类声学
网址	https://doi.org/10.1117/12.2289939
DOI	10.1117/12.2289939 doi
其它	期刊：作者：Patrycja Śpiewak; Marcin Gębski; Ricardo Rosales; Paulina Komar; Jarosław Walczak; et al 出版日期：2018-02-19
求助人	zywzyw 在 2025-10-15 21:05:22 发布自江西，悬赏 20 积分
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