AlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with thermal atomic layer deposition AlN gate dielectric

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标题	AlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with thermal atomic layer deposition AlN gate dielectric 热原子层沉积AlN栅介质AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管相关领域高电子迁移率晶体管材料科学钝化光电子学原子层沉积电介质栅极电介质半导体晶体管高-κ电介质图层（电子）肖特基二极管纳米技术电气工程二极管工程类电压
网址	https://doi.org/10.7567/jjap.57.096502
DOI	10.7567/jjap.57.096502 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Linqing Zhang; Pengfei Wang 出版日期：2018-07-30
求助人	kais 在 2025-09-09 23:28:10 发布自上海，悬赏 10 积分
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