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Re-examination of effects of ALD high-k materials on defect reduction in SiGe metal–oxide–semiconductor interfaces
ALD高k材料对SiGe金属-氧化物-半导体界面缺陷减少影响的再研究
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网址
https://doi.org/10.1063/5.0061573
AI链接 doaj.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0061573 doi
其它 期刊：AIP Advances
作者：Tsung-En Lee; Kasidit Toprasertpong; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi
出版日期：2021-08-01
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