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  High field-effect mobility with suppressed negative threshold voltage shift in 4H-SiC MOSFET with cerium oxide interfacial layer 具有氧化铈界面层的4H-SiC MOSFET具有抑制负阈值电压偏移的高场效应迁移率
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Jinhan Song; Atsuhiro Ohta; Takuya Hoshii; Hitoshi Wakabayashi; Kazuo Tsutsui; et al 出版日期：2021-01-25 |
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