Interfacial Layer Engineering in Sub-5-nm HZO: Enabling Low-Temperature Process, Low-Voltage Operation, and High Robustness

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标题	Interfacial Layer Engineering in Sub-5-nm HZO: Enabling Low-Temperature Process, Low-Voltage Operation, and High Robustness Sub-5-nmHZR中的界面层工程：实现低温工艺、低压操作和高稳健性相关领域符号缩放比例铁电性算法材料科学物理数学光电子学电介质算术几何学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3270397
DOI	10.1109/ted.2023.3270397 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Eunseon Yu; Xiao Lyu; Mengwei Si; Peide D. Ye; Kaushik Roy 出版日期：2023-05-11
求助人	三金在 2025-03-25 17:37:27 发布自日本，悬赏 10 积分
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