Temperature sensitive analytical analysis of gate‐stack dual metal nanowire field‐effect transistor (4H‐SiC)

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标题	Temperature sensitive analytical analysis of gate‐stack dual metal nanowire field‐effect transistor (4H‐SiC) 栅堆叠双金属纳米线场效应晶体管（4H-SiC）的温度敏感分析相关领域材料科学纳米线堆栈（抽象数据类型）场效应晶体管跨导光电子学晶体管金属浇口栅氧化层电气工程工程类计算机科学电压程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1002/jnm.3065
DOI	10.1002/jnm.3065 doi
其它	期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：Neeraj Neeraj; Shobha Sharma; Anubha Goel; Sonam Rewari; Radhey S. Gupta 出版日期：2022-09-16
求助人	Terry 在 2025-08-29 13:42:27 发布，悬赏 10 积分
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