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 Temperature sensitive analytical analysis of gate‐stack dual metal nanowire field‐effect transistor (4H‐SiC) 栅堆叠双金属纳米线场效应晶体管（4H-SiC）的温度敏感分析
相关领域
材料科学
纳米线
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期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：Neeraj Neeraj; Shobha Sharma; Anubha Goel; Sonam Rewari; Radhey S. Gupta 出版日期：2022-09-16 |
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