Role of Oxygen Vacancies at the TiO2/HfO2 Interface in Flexible Oxide‐Based Resistive Switching Memory

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标题	Role of Oxygen Vacancies at the TiO2/HfO2 Interface in Flexible Oxide‐Based Resistive Switching Memory 相关领域材料科学电阻随机存取存储器柔性电子器件光电子学氧化物基质（水族馆）电铸压力（语言学）双层聚萘二甲酸乙二醇酯纳米技术图层（电子）电气工程海洋学地质学工程类哲学电压生物冶金遗传学语言学膜
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.201800833
DOI	10.1002/aelm.201800833 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Rulin Zhang; Hong Huang; Qing Xia; Cong Ye; Xiaodi Wei; et al 出版日期：2019-04-03
求助人	芋泥在 2025-09-30 22:28:14 发布自浙江，悬赏 10 积分
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