Total-Ionizing-Dose Effects and Low-Frequency Noise in 90 nm, 3.3 V Input/Output CMOS Devices

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标题	Total-Ionizing-Dose Effects and Low-Frequency Noise in 90 nm, 3.3 V Input/Output CMOS Devices
网址	https://doi.org/10.1109/TNS.2026.3684446
DOI	10.1109/TNS.2026.3684446 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：J. Neuendank; T. Kirby; H. J. Barnaby; D. M. Fleetwood; S. Bonaldo; et al 出版日期：2026
求助人	xelloss 在 2026-04-20 07:58:21 发布自浙江，悬赏 10 积分
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