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标题
Improved Evaluation Method for Channel Mobility in SiC Trench MOSFETs
SiC沟槽MOSFET沟道迁移率的改进评估方法
相关领域
材料科学 沟槽 频道(广播) MOSFET 凝聚态物理 散射 阈值电压 电子迁移率 光电子学 碳化硅 电压 纳米技术 电气工程 晶体管 光学 物理 图层(电子) 冶金 工程类
网址
DOI
10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.757 doi
其它 期刊:Materials science forum
作者:Katsuhiro Kutsuki; Sachiko Kawaji; Yukihiko Watanabe; Shinichiro Miyahara; Jun Saito
出版日期:2015-06-30
求助人
ZYH 在 2024-12-28 21:49:20 发布自上海,悬赏 30 积分
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