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 MOCVD homoepitaxy of Si-doped (010) β-Ga2O3 thin films with superior transport properties 具有优异输运性能的掺Si（010）β-Ga2O3薄膜的MOCVD同质外延
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Zixuan Feng; A F M Anhar Uddin Bhuiyan; Md Rezaul Karim; Hongping Zhao 出版日期：2019-06-24 |
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