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 Stacking faults: Origin of leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β -Ga2O3 Schottky barrier diodes 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Sayleap Sdoeung; Kohei Sasaki; Satoshi Masuya; Katsumi Kawasaki; Jun Hirabayashi; et al 出版日期：2021-04-26 |
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