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Nature of the 3.28 eV photoluminescence peak in unintentionally doped GaN microdisk grown by Na flux method 相关领域
光致发光
材料科学
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光学
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焊剂(冶金)
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化学气相沉积
自发辐射
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氮化镓
宽禁带半导体
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低语长廊波浪
砷化镓
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期刊:Optics Express 作者:Zhiwei Si; Tao Zhang; Xiaohui Peng; 郑向群; Jianfeng Wang; et al 出版日期:2026-01-12 |
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