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200-mm Si CMOS Process-Compatible Integrated Passive Device Stack for Millimeter-Wave Monolithic 3-D Integration 用于毫米波单片三维集成的200-mm Si CMOS工艺兼容集成无源器件堆叠
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Minsik Park; J. H. Song; Jaeyong Jeong; Jeong‐Taek Lim; Jae‐Hyeok Song; et al 出版日期:2023-08-15 |
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