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 Operation mechanism of Schottky barrier nonvolatile memory with high conductivity InGaZnO active layer 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Thanh Thuy Trinh; Van Duy Nguyen; Nguyễn Hồng Hạnh; Jayapal Raja; Juyeon Jang; et al 出版日期：2012-04-02 |
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