High-performance Schottky-barrier field-effect transistors based on two-dimensional GaN with Ag or Au contacts

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标题	High-performance Schottky-barrier field-effect transistors based on two-dimensional GaN with Ag or Au contacts 基于具有Ag或Au接触的二维GaN的高性能肖特基势垒场效应晶体管相关领域肖特基势垒光电子学材料科学金属半导体结场效应晶体管晶体管工程物理电气工程物理工程类电压二极管
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2024.207863
DOI	10.1016/j.micrna.2024.207863 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：Hai-Qing Xie; Jing-Shuo Liu; Kaiyue Cui; Xinyue Wang; Zhi‐Qiang Fan 出版日期：2024-05-07
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