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Optoelectronic properties of bilayer van der Waals WSe2/MoSi2N4 heterostructure：A first-principles study
双层van der Waals WSe2/MoSi2N4异质结构光电性质的第一性原理研究
相关领域
单层 范德瓦尔斯力 半导体 带隙 异质结 双层 光电子学 直接和间接带隙 电子迁移率 材料科学 化学 纳米技术 分子 膜 生物化学 有机化学
网址
https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115429
DOI
10.1016/j.physe.2022.115429 doi
其它 期刊：Physica E-low-dimensional Systems & Nanostructures
作者：Zhengwen Zhang; Guoxing Chen; Aiqin Song; Xiaolin Cai; Weiyang Yu; et al
出版日期：2022-07-19
求助人
boboking 在 2025-05-04 14:52:38 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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