Gate-driven band modulation hyperdoping for high-performance p-type 2D semiconductor transistors

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标题	Gate-driven band modulation hyperdoping for high-performance p-type 2D semiconductor transistors 高性能p型二维半导体晶体管的栅极驱动带调制超掺杂
备注	求正式发表版本
网址	https://www.science.org/doi/10.1126/science.adp8444
DOI	10.1126/science.adp8444 doi
求助人	jlwang 在 2025-06-13 06:46:43 发布自江苏，悬赏 10 积分
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