| 标题 |
 41% Reduction In Power Stage Area On Silicon-On-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT Platform With Newly Developed Multiple Deep-Oxide Trench Technology 采用新开发的多重深氧化沟槽技术，绝缘体上硅双极-CMOS-DMOS-IGBT平台的功率级面积减少41%
相关领域
绝缘栅双极晶体管
电气工程
LDMOS
材料科学
绝缘体上的硅
CMOS芯片
沟槽
光电子学
二极管
电流注入技术
电压
高压
炸薯条
互连
功率半导体器件
过电流
绝缘体（电）
双极结晶体管
击穿电压
工程类
硅
晶体管
纳米技术
电信
图层（电子）
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期刊：2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Long Zhang; Jie Ma; Yong Gu; Siyang Liu; Jiaxing Wei; et al 出版日期：2022-12-03 |
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